- Komponenty
- Paměti
- Kingston Kingston/DDR3L/8GB/1600MHz/CL11/2x4GB
email: obchod@it.cz
generováno: 28.04.2024 17:08
Kingston Kingston/DDR3L/8GB/1600MHz/CL11/2x4GB
8GB RAM DDR3, 1600Mhz, 11CL
Vaše cena bez DPH
995 Kč
Vaše cena s DPH
1 204 Kč
Skladem 1 ks
ve čtvrtek 2. 5. na pobočce nebo u Vás doma
Více o dostupnosti
ve čtvrtek 2. 5. na pobočce nebo u Vás doma
Více o dostupnosti
| Objednací kód | 182020 |
| Záruka a servis | 24 měsíců |
| Kód výrobce | KVR16LN11K2/8 |
Popis
Typ paměti: DDR3L
Kapacita paměti: 8 GB
Frekvence paměti: 1600 MHz
Časování: 11
Korekce chyb (ECC): Ne
Funkce:
*JEDEC standard 1.5V (1.425V ~1.575V) Power Supply
*VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
*667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin
*8 independent internal bank
*Programmable CAS Latency: 9, 8, 7, 6
*Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clock
*Programmable CAS Write Latency(CWL) = 7 (DDR3-1333)
*8-bit pre-fetch
*Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using A12 or MRS]
* Bi-directional Differential Data Strobe
* Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)
* On Die Termination using ODT pin
* Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE < 95°C
* Asynchronous Reset
* PCB: Height 1.18” (30mm), single sided component
Počet modulů v balení: 2 x 4 GB
Typ paměti: DDR3
Frekvence pamětí (MHz): 1600Mhz
Časování (latency): 11CL
Kapacita paměti: 8 GB
Frekvence paměti: 1600 MHz
Časování: 11
Korekce chyb (ECC): Ne
Funkce:
*JEDEC standard 1.5V (1.425V ~1.575V) Power Supply
*VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
*667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin
*8 independent internal bank
*Programmable CAS Latency: 9, 8, 7, 6
*Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clock
*Programmable CAS Write Latency(CWL) = 7 (DDR3-1333)
*8-bit pre-fetch
*Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using A12 or MRS]
* Bi-directional Differential Data Strobe
* Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)
* On Die Termination using ODT pin
* Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE < 95°C
* Asynchronous Reset
* PCB: Height 1.18” (30mm), single sided component
Počet modulů v balení: 2 x 4 GB
Parametry a specifikace:
Obecné
Velikost paměti RAM (GB): 8GB RAMTyp paměti: DDR3
Frekvence pamětí (MHz): 1600Mhz
Časování (latency): 11CL